- 새로운 DDR3 제품의 대기전력 감소 분야에서 D램 생산업체 중 최초로 Intel 인증 획득

세계 첨단 반도체 솔루션 분야 선두 업체인 Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU)는 오늘 초박형 컴퓨팅 장치 및 태블릿용 30-nm 저전력 DDR3L-RS SDRAM의 대량 생산을 시작한다고 발표했다. 본 2GB 및 4GB 솔루션은 PC DRAM의 고성능과 비용효율성을 유지하면서도 대기전력 소비를 줄여 배터리를 보다 오래 사용할 수 있다.

IHS iSuppli의 D램 및 메모리 수석분석가 Mike Howard는 “Micron은 DDR3L-RS의 개발과 상용화에 있어서 선두업체이며, 이번 30nm 제품의 도입은 이를 다시 한번 입증해 주었습니다. DDR3L-RS는 전력 예산이 빠듯하여 저렴한 가격으로 고성능을 내야 하는 고객들에게 탁월한 선택입니다. 저희는 많은 차세대 초박형 플랫폼이 DDR3L-RS의 이점을 활용하게 될 것으로 기대합니다”라고 말했다.

이미 “DDR3Lm”이란 이름으로 발표된 이들 장치는 자동 새로고침 전력(IDD6) 소모를 감소시켜 시스템의 전반적인 전력 소비를 개선시키므로 이제 Micron은 칩셋 납품업체, 이네이블러(enabler), 가전제품 제조사들에게 표준 D램과 동일한 성능, 동일한 품질, 동일한 신뢰성을 가진 최고의 절전 메모리를 제공할 수 있게 되었다. DDR3L-RS는 오늘날 초박형 컴퓨팅 시장 및 태블릿 시장의 확대 수요를 충족시킴은 물론, Intel의 Ultrabook 장비와 같은 제품의 기능과 성능을 높일 수 있는 길을 열어가고 있다.

“D램이라는 새로운 분야에 대한 우리 고객들의 반응은 매우 긍정적입니다. 더 얇고, 더 빠르고, 한번 충전으로 더 오래 가는 초박형 노트북 및 태블릿을 실현해 줄 D램 솔루션을 선도하고 있다는 사실이 저희에게는 매우 고무적입니다.”라고 Micron D램 마케팅 분야 부사장 Robert Feurle의 말했다.

첫 번째 Intel 인증 DDR3L-RS 제품 생산업체로서 Micron의 기념비적인 성과는 Intel 웹사이트에서도 확인할 수 있다.

“Micron은 DDR3L-RS로써 Ivy Bridge 플랫폼에서 인증 받은 최초의 D램 공급업체로서 PC D램 대기전력 감소 분야에서 업계표준을 수립했습니다.”라고 Intel 메모리 이네이블링 수석매니저인 Geof Findley의 말했다.

Micron은 2GB 및 4GB 장치 외에 8GB x 32 DDR3L-RS 샘플링을 시작했으며, 8GB x 16 DDR3L-RS 샘플을 공급하고 있다. 생산은 2012년 12월로 예정되어 있다. 이들 제품으로써 시스템 디자인의 유연성이 확장되어 공간을 줄이고 밀도는 늘릴 수 있다. 2013년 초에 DDR4-RS를 출시하면 전력 및 공간을 더욱 절약할 수 있을 것으로 기대된다.

Micron은 오늘의 발표로써 D램, NAND, NOR, SSD 솔루션 등 광범위한 포트폴리오로 초박형 애플리케이션 분야의 성장을 뒷받침할 수 있는 유리한 위치에 서게 되었다. 더 자세한 내용은 http://www.micron.com/ 에서 확인해 볼 수 있다.

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