- Integrated Silicon Solution, Inc.을 2차 공급 파트너로 발표

Micron Technology, Inc.,(Nasdaq:MU)는 오늘 자사의 3세대 지연시간 감소 DRAM(RLDRAM 3 메모리)의 초기 공정 견본을 이용해 볼 수 있다고 발표했다. RLDRAM 3은 네트워크를 통한 정보 전송 효율을 향상시키는 고대역폭 메모리 기술이다. 연속 읽기/쓰기 작업 또는 완전한 랜덤 액세스가 필요한 첨단 라우터와 스위치 등 고성능 네트워킹 어플리케이션용으로 고안된 RLDRAM 3 메모리는 40 기가비트 이더넷(Gigabit Ethernet, GbE)과 100 GbE 디자인, 패킷 버퍼링과 인스팩션 및 룩업 테이블 등을 위한 이상적인 선택이다. 또한, RLDRAM 3 메모리는 속도, 밀도, 지연시간 및 전력 소모를 현저히 개선시켰다.

모바일 어플리케이션 및 클라우드 컴퓨팅의 성장과 때를 같이 한 IPTV 등 인터넷 기반 비디오 서비스 및 주문형 비디오의 활성화에 의해 대량의 온라인 전송 데이터를 지원할 수 있는 보다 효율적인 네트워크 인프라의 필요성이 대두되고 있다. RLDRAM 3 메모리는 네트워크 고객에게 100 GbE 등 프로토콜 작동 속도의 증가를 지원할 수 있는 고대역폭, 저지연시간 솔루션을 제공한다.

RLDRAM 3 메모리는 초당 최대 2133 메가비트(Mb/s)의 안정적인 데이터 속도와 10 나노초 미만의 업계 최저 랜덤 액세스 지연시간을 제공한다. 또한 친숙한 1.2V IO 및 1.35V 코어 전압 레벨을 통해 보다 우수한 에너지 효율을 달성했다.

Micron DRAM Solutions Group의 네트워킹 및 저장 사업 개발 이사인 Bruce Franklin은 “저희 Micron 직원들은 현재 고객들이 네트워크 기술을 최적화하여 데이터 크기의 증가와 이에 관련되어 급격히 변화하는 인프라스트럭처의 복잡성을 지원하기 위해 겪는 압박감을 이해합니다”고 말했다. “RLDRAM 3 메모리는 고객의 진화하는 메모리 요구에 넉넉한 여유를 제공하는 저지연시간, 고대역폭 솔루션입니다.”

또한 오늘 Micron은 네트워킹 고객들에게 상업적 물량의 안정적인 공급을 보장하기 위해 자사 RLDRAM 3 메모리의 2차 공급자로 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)을 선정했다고 발표했다.

ISSI의 전략 마케팅 이사 Pat Lasserre는 “저희는 Micron과 긴밀하게 협조하여 고객의 RLDRAM 3 메모리 수요를 충족시켜 나갈 수 있을 것입니다”고 말했다. “생산 라인에 RLDRAM 3를 추가함으로써 저희는 100 GbE 등의 네트워킹 표준에 따른 특화된 고성능 메모리 기술에 대한 고객의 수요를 장기적으로 충족시킬 수 있다는 데 흥분을 느낍니다.”

제품 이용

RLDRAM 3 제품 견본 주문 정보는 자사의 웹사이트에 실려 있다. Micron은 2011년 하반기 중 RLDRAM 3 메모리의 생산을 시작할 수 있을 것으로 예상하고 있다.

관련 링크

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- Micron Innovations 블로그: www.micronblogs.com
- Micron 트위터: http://twitter.com/microntechnews and http://twitter.com/realssd
- Micron 프레스룸: www.micron.com/media

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