기존의 플래시메모리, DRAM 등의 단점을 극복할 수 있는 차세대 메모리의 개발 경쟁이 치열한 가운데, 그 중에서도 PRAM에 대한 특허출원이 가장 활발한 것으로 나타났다.

PRAM은 상변화물질을 전기적으로 가열하여, 물질이 저항이 약한 결정상태로 되느냐, 저항이 강한 비정질상태로 되느냐에 따라 정보를 저장하고 판독하는 방식의 메모리 소자이다.

특허청(청장 고정식)에 따르면, 지난해동안 국내 출원된 PRAM관련 특허는 204건으로서, 경기침체로 전년(223건)에 비해서는 약간 감소된 수치이나, 다른 종류의 차세대 메모리인 FeRAM, MRAM, ReRAM의 특허출원이 각각 20건, 53건, 66건에 그쳤던 데 비해서는 압도적으로 많은 것으로 나타났다.

이는 PRAM이 전력을 차단해도 정보를 기억하는 플래시메모리의 장점과 고속 동작이 가능한 디램의 장점을 모두 갖추고 있는데다, 기존 생산설비를 이용한 양산 및 고집적화가 용이하기 때문에, 기업들도 현재까지는 PRAM이 가장 경쟁력 있는 차세대 메모리라고 판단하고 있는 것으로 분석된다.

출원인별로는, 하이닉스 148건(72.5%), 삼성전자 37건(18.1%), 한국전자통신연구원 등 국내 연구소 9건(4.4%), 마이크론 테크놀로지 등 외국 기업 10건(4.9%) 등으로, 주로 국내 기업들의 출원이 대부분임을 알 수 있다.

국내 PRAM 연구를 주도하고 있는 삼성전자와 하이닉스는 각각 뉴모닉스와 PRAM 원천기술 보유기업인 오보닉스와 기술 협력을 통해 기반기술 확보에 주력해 왔다. 지난 9월에는 삼성전자가 마침내 PRAM 양산을 시작했다는 소식이 전해짐에 따라 PRAM의 상용화도 조만간 본격화될 것으로 예상된다.

그러면 MP3, 휴대폰, 디지털카메라 등 각종 IT 제품에 사용되고 있는 플래시메모리를 훨씬 작고 빠른 PRAM이 대신함으로써, IT 제품들의 성능은 더욱 향상될 수 있다. 현재 플래시메모시가 전 세계적으로 연 200억 달러 이상의 거대시장을 형성하고 있음을 감안할 때, 시장 선점을 위한 기업들의 PRAM 개발 경쟁은 더욱 가속화될 것이며, 관련 특허출원도 지속적으로 증가할 것으로 예상되고 있다.

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