300㎜ GaN 웨이퍼 / 사진. 인피니언
전력 반도체 및 IoT 분야의 글로벌 리더 인피니언 테크놀로지스가 연례 보고서 ‘GaN 인사이트 2026’을 발간하고, 갈륨 나이트라이드(이하 GaN) 기술의 시장 현황과 적용 분야, 향후 성장 전망을 제시했다.
시장 분석에 따르면 GaN 전력 반도체 시장은 2030년까지 약 30억 달러 규모로 성장할 것으로 전망된다. 2025년부터 본격화된 양산 확대를 기반으로 GaN은 기존 전력 변환 애플리케이션을 넘어 다양한 산업으로 빠르게 확산되는 추세다. 2026년 시장 규모는 9억 2,000만달러로, 2025년 5억 8,400만달러 대비 58% 성장할 것으로 예상된다.
인피니언 GaN 사업부 요하네스 쇼이스볼 책임자는 “GaN은 이미 다양한 산업에서 실질적인 시장 기술로 자리 잡았다”라며 “인피니언은 제품에서 시스템으로(Product-to-System) 접근 방식과 선도적인 제조 역량, 폭넓은 GaN 포트폴리오를 기반으로 고객이 시장에서 성공하는 데 필요한 솔루션을 제공한다”라고 밝혔다.
2026년에는 태양광 인버터와 전기차 온보드 충전기를 넘어 GaN 양방향 스위치(BDS)의 활용 사례가 확대될 것으로 예상된다. 인피니언의 고전압 GaN 양방향 스위치는 검증된 GIT(Gate Injection Transistor) 기술을 기반으로, 더블 게이트 구조의 혁신적인 공통 드레인(Common Drain) 설계를 적용했다.
이 설계는 하나의 드리프트 영역으로 양방향 전압 차단이 가능해 기존 백투백(Back-to-Back) 구성 대비 다이(Die) 크기를 크게 줄일 수 있다. 예를 들어 최대 1㎒로 동작하는 인피니언 CoolGaN BDS를 적용한 태양광 마이크로인버터는 동일한 크기에서 출력이 40% 증가하고, 시스템 비용 절감 효과도 기대할 수 있다.
GaN 기술은 AI 데이터센터, 로보틱스, 전기차, 신재생에너지뿐 아니라 디지털 헬스, 양자컴퓨팅 등 신흥 산업으로 적용 범위를 확대하고 있다. 특히 데이터센터에서 새로운 토폴로지를 적용한 GaN 기반 전원공급장치는 높은 효율과 전력 밀도를 구현해 전력 손실을 최대 30%까지 줄일 수 있다. 이는 보다 효율적이고 컴팩트한 데이터센터 아키텍처 구현에 기여한다.
휴머노이드 로봇에 적용되는 GaN 기반 모터 드라이브의 경우, 시스템 크기를 최대 40% 줄이면서도 정밀한 동작 제어 성능을 향상시킬 수 있다. 고효율·고전력 밀도 특성을 기반으로, 차세대 로보틱스 구동 시스템 설계에 새로운 가능성을 제시하는 셈이다.
인피니언은 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), GaN 전반에 걸쳐 혁신적인 전력 반도체 솔루션을 제공하고 있다. IDM(Integrated Device Manufacturing) 전략과 업계 최고 수준의 시스템 이해도를 바탕으로 변화하는 산업 수요에 대응하며, 300㎜ GaN 웨이퍼 제조 역량을 기반으로 한 제품 경쟁력을 강화하고 있다. 이를 통해 애플리케이션 차별화와 고성능 전력 시스템 구현을 동시에 지원한다.
