반도체
하이닉스반도체
세계 최초 44나노 DDR3 D램 개발
‘3차원 트랜지스터 기술’로 누설 전류 제어
하이닉스반도체는 44나노 공정 기술을 적용해 세계 최초로 1기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발했다고 밝혔다.
이 제품은 美 인텔의 규격과 호환성을 만족하는 제품으로 모듈 제품의 인증을 위한 실험도 조만간 인텔에 의해 진행될 예정이다.
이번에 개발된 44나노 공정을 적용한 1기가비트 DDR3 D램은 현재 양산중인 54나노 공정 대비 약 50% 이상 생산성이 향상된 제품으로, ‘3차원 트랜지스터 기술’로 누설 전류를 제어해 전력 소비를 최소화 하면서도 업계 최고 수준의 동작속도를 확보했다.
이 제품이 지원하는 최대 속도는 향후 차세대 DDR3의 표준속도가 될 것으로 예상되는 2133Mbps(초당 2133Mb 데이터 처리)이며, 다양한 전압을 지원하는 것이 특징이다.
44나노 공정을 적용한 DDR3 제품의 양산은 올해 3분기에 시작되며, 2010년부터는 다양한 용량의 DDR3 제품을 대규모로 양산할 계획이다.
또한 DDR3 제품의 초고속 동작과 저소비 전력 특성을 강화해 대용량 메모리 모듈, 모바일 D램, 그래픽 D램에 확대 적용할 계획이다.
40나노급 공정은 대부분의 D램 업체들이 2010년 이후 개발을 목표로 하고 있는 차세대 D램 제조 공정 기술로, 2009년 하반기 이후 시장의 주력 제품이 될 것으로 예상되는 DDR3에 주로 적용될 것으로 전망된다.
하이닉스는 40나노급 공정으로 세계 최초로 DDR3 제품을 개발해 업계 최고 수준의 기술력을 다시 한 번 확인하게 됐으며, 향후 수요가 급증할 것으로 기대되는 DDR3 시장에서 경쟁사 대비 한 세대 앞선 공정기술을 적용한 차별화된 제품으로 시장을 선도할 수 있을 것으로 기대하고 있다.
한국전기연구원
전기硏, 지능형 홈 제어
전력선통신 칩셋 상용화 개발
전력선 이용 시, 통신 불안정성 해소
가정용 각 전자제품이 상호 연결되고 손쉽게 제어되어 언제, 어디서나, 어떤 기기와도 소통할 수 있는 유비쿼터스 네트워크 환경의 지능형 홈 첨단주택.
이러한 ‘지능형 홈’구현에 필요한 전력선통신용 칩셋(chipset)과 모뎀이 국내 연구진에 의해 순수 국산 기술로 개발됐다.
한국전기연구원 융합기술연구본부 이원태 박사팀(전기정보망연구센터)은 최근 첨단 IT, BT기술과 건축기술 등의 융복합을 통해 미래 주택의 기능과 생활문화를 바꿔나갈 것으로 기대 받고 있는 ‘지능형 홈’ 구현을 위한 가전 및 설비 제어용 고신뢰 전력선통신(PLC) 모뎀의 상용화 칩셋과 모뎀 시제품을 국내 최초로 개발하는데 성공했다고 밝혔다.
연구팀이 이번 개발물에 적용한 핵심 기술은 듀얼모드형 확장전송신호 기법을 사용하는 전력선 채널 적응형 통신 시스템 기술이다.
이번에 개발된 칩셋과 모뎀은 모든 종류의 가정용 전자제품이 상호 연결되는 하나의 가정 내 통신네트워크(Home Area Network)내에서 각 가전제품 및 지능형 설비 유무에 따른 부하변동에도 데이터가 끊기지 않고 고르게 전송되도록 해주는 것이 특징이다.
과제책임자 이원태 박사는 “순수 국산 기술로 개발된 이번 칩셋과 모뎀은 331㎡(100평형) 이내의 주택의 그린홈 내부 가전 제어 및 그린빌딩 제어 등에 응용이 가능하며, 특히 저비용(Low Cost), 저전력을 실현함으로써 그린홈, 빌딩 에너지 컨트롤 서비스, 독거노인 안부확인 서비스, 저속 무선원격검침(AMR) 서비스 등의 조기 사업화를 가능하게 해 줄 것으로 기대된다.”고 밝혔다.
