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3차원 메모리반도체 기술 관련 특허출원 활발 높이, 더 높이! 메모리반도체에 부는 고층화 열풍 최윤지 기자입력2019-06-10 09:06:56

수직으로 메모리 셀들을 적층하는 3D 메모리 기술(사진. 특허청)  

 

 

특허청에 따르면 3D 메모리 관련 출원은 '13년 이전에 연 150건 이하에 불과했으나, '14년을 기점으로 급격히 증가해 매년 약 300건의 출원이 지속되고 있다.


3D 메모리 기술은 반도체 소자를 여러 층 적층함으로써 단위면적당 저장용량을 극대화시키는 반도체 제조공법으로, 대표적인 제품으로 비휘발성 메모리 분야에서의 3D 낸드플래시, 휘발성 메모리 분야에서의 광대역폭 메모리(HBM)가 있다.

 

3D 낸드플래시는 기존 2D 반도체 제조에서 각광받던 미세공정기술이 한계에 부딪치자, 이를 극복하기 위해 2차원으로 배열된 반도체 소자를 수직으로 적층한 메모리반도체로, 현재 96층 3D 낸드플래시가 양산되고 있다.

이러한 3D 낸드플래시는 대용량·고속 처리가 요구되는 인공지능, 가상현실, 빅데이터 분야에서 널리 사용되고 있어, 시장규모가 급속히 커지고 있는데, 세계시장 규모는 '16년 371억 달러에서 '21년 500억 달러 이상으로 급격히 성장할 것으로 전망된다.


최근 5년간 출원인별 출원동향을 살펴보면, 내국인 출원이 78.6%, 외국인 출원이 21.4%를 차지하고 있는데, 이는 삼성전자와 SK하이닉스가 메모리반도체 분야에서 후발업체와의 기술 초격차를 유지하기 위해 관련 기술개발을 지속해온 결과로 분석된다.

 

광대역폭 메모리는 DRAM을 여러 층 쌓은 후, 실리콘 관통전극(TSV)로 이용해 상호 연결한 다층 메모리반도체로, 전력소모가 낮고, 데이터 처리용량이 높을 뿐만 아니라, GPU 등 시스템반도체와 연결이 용이하다는 장점으로 차세대 반도체 기술로 주목받고 있다.

 

3D 낸드플래시와 마찬가지로, 광대역폭 메모리 분야에서도 우리나라 기업이 특허출원을 주도하고 있는데, 최근 5년간 광대역폭 메모리 출원 113건 중 81.4%(92건)를 삼성전자와 SK하이닉스에서 출원했으며, 외국 출원기업으로는 TSMC, 인텔, 마이크론 등이 있다.

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